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普兴公司6英寸碳化硅外延高速率生长工艺开发成功

文章作者:poshing 上传更新:2024-02-23
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表,具有禁带宽度宽(3.26 eV)、击穿电场强度大(2.8 MV/cm)、饱和电子迁移速度快(2.2*107cm/s)及热导率高(3.3~4.9 W/(cm*K))等优势,可制备高压、高温、高频器件并被广泛应用在新能源汽车、风能、太阳能、智能电网、机车、下一代通讯甚至雷达、航海、航天等领域。目前市场上的功率器件绝大多数都可被SiC器件替代,尤其是在高压大功率领域的器件。
 
  随着社会的发展,人们对电子设备性能要求越来越高,为了满足其要求,半导体行业中对SiC的需求也将会越来越多。从2019年至2025年,市场对SiC的需求量年增长率将会达到49%,SiC正在迎来它快速发展的阶段。但是国内SiC产业起步较晚,加上国外对中国关键技术和设备等方面的限制,国内的SiC抛光片和高质量SiC外延片,无论在质量上还是尺寸上都较国外有一定差距,且产能和产业化经验不足严重影响国产SiC材料的广泛推广应用。
  普兴公司有近60年的外延研究历史和近20年的产业化生产经验,掌握了多种外延控制方法,积累了大量的技术经验,为碳化硅外延材料研发及产业化发展奠定了坚实的基础。目前吴会旺博士带领的以杨龙、李伟峰、李召勇为代表的碳化硅外延技术攻关团队,参考基础工艺,进行反复计算和理论模拟,从而建立了高速率外延生长体系并实验验证,通过优化关键技术参数,使得外延生长速率大幅度提升,为碳化硅外延的快速发展奠定了坚实的基础。此外,与客户联合制定的三组高速率碳化硅外延样片已经完成各项参数测试,各项指标均满足规范要求,客户已经安排上线流片。碳化硅外延高速率生长工艺的应用,可以将生产效率提高200%以上,大幅降低生产成本,为公司碳化硅外延产品扩大市场份额提供了有力保障。
  化硅作为新兴材料,在技术、工艺等方面有较大的提升空间,普兴公司将继续努力,大力发展碳化硅外延产业,通过技术提升、规模化生产,与产业链上下游联合降低材料成本提高产品质量,推动我国第三代半导体行业的发展。
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